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SiC半導(dǎo)體中膜厚測(cè)量解決方案
2025-09-02 15:00:02
admin
SiC半導(dǎo)體中 膜厚測(cè)量解決方案 優(yōu)尼康科技有限公司
目錄
01 SiC半導(dǎo)體材料概述 02 SiC材料的優(yōu)點(diǎn) 03 SiC器件種類 04 SiC半導(dǎo)體應(yīng)用 05 SiC半導(dǎo)體廠商 06 SiC半導(dǎo)體測(cè)量需求 01 隨著第一代和第二代半導(dǎo)體材料發(fā)展的成熟，目前在大規(guī)模使用的Si功率器件已經(jīng)達(dá)到其性能瓶頸，Si功率器件的工作頻率、功率、耐熱溫度、能效、耐惡劣環(huán)境及小型化等性能的提高面臨難以逾越的瓶頸。 現(xiàn)代科技越來越多的領(lǐng)域需要高頻率、高功率、耐高溫、化學(xué)穩(wěn)定性好的第三代半導(dǎo)體，而作為第三代半導(dǎo)體優(yōu)秀代表的SiC（Silcon carbide），越來越多的受到人們的關(guān)注。 作為一種新型的半導(dǎo)體材料，SiC以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電特性成為制造短波長(zhǎng)光電子器件、高溫器件、抗輻照器件和大功率／高額電子器件重要的半導(dǎo)體材料。特別是在條件和惡劣條件下應(yīng)用時(shí)，SiC器件的特性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了Si器件和GaAs器件。因此，SiC器件和各類傳感器已逐步成為關(guān)鍵器件之一，發(fā)揮著越來超重要的作用。 從20世紀(jì)80年代起，特別是1989年第一種SiC襯底圓片進(jìn)入市場(chǎng)以來，SiC器件和電路獲得了快速的發(fā)展。在某些領(lǐng)域，如發(fā)光二極管、高頻大功率和高電壓器件等，SiC器件已經(jīng)得到較廣泛的商業(yè)應(yīng)用。 02 Sic碳化硅材料一般有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)： 1. 高擊場(chǎng)強(qiáng) 2. 導(dǎo)熱系數(shù)高 3. 高溫抗氧化能力強(qiáng) 4. 耐磨性能好 5. 化學(xué)性能穩(wěn)定 6. 高飽和以及電子漂移速率 SiC與Si和GaAs的有關(guān)參數(shù)的對(duì)比 03 碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。 功率二極管 功率開關(guān)管 04 碳化硅半導(dǎo)體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對(duì)效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用。可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 05 國(guó)外廠商 國(guó)內(nèi)廠商 德國(guó)英飛凌 株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體 美國(guó)Cree公司 啟迪新材料（蕪湖） GE 無錫華潤(rùn)上華科技 日本羅姆公司 ... 06 SiC半導(dǎo)體工藝量測(cè)中，常見的膜厚測(cè)試種類： Α-Si (1000-20000A) SiNx (100-4000A) SiO2 (30-10000A) USG (1000-20000A) C膜 (100-2000A) BPSG (1000-20000A) POLY (1000A-20000A) 匹配產(chǎn)品型號(hào) F50-UV F54-UV 測(cè)量參數(shù) 測(cè)量數(shù)據(jù) C on SiC POLY on SiC SiO2 on SiC SiNx on SiC USG on SiC BPSG on SiC 本文作者 胡樹棟 華東區(qū)銷售經(jīng)理 薄膜測(cè)量行業(yè)從業(yè)十多年，對(duì)于薄膜量測(cè)的方案解決有著豐富的經(jīng)驗(yàn)。讓微流控芯片行業(yè)中需要量測(cè)流道形貌及深度這類原本比較棘手的問題得到了解決。 長(zhǎng)風(fēng)破浪會(huì)有時(shí)，直掛云帆濟(jì)滄海 我們深耕薄膜測(cè)量行業(yè)十多年，不論您在薄膜測(cè)量方面有什么問題，我們的技術(shù)專家都可以為您提供有價(jià)值的建議或解決方案。歡迎來電，我們很高興與您討論您的應(yīng)用問題。 咨詢電話： 400-186-8882 電子郵箱： info@unicorn-tech.com 優(yōu)尼康科技有限公司 翌穎科技（上海）有限公司
