SiC半導(dǎo)體中膜厚測量解決方案
關(guān)于碳化硅Sic在半導(dǎo)體行業(yè)中的一些應(yīng)用，以及實際應(yīng)用中的膜厚測量解決方案
SiC半導(dǎo)體中
膜厚測量解決方案
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目錄
01 | SiC半導(dǎo)體材料概述 |
02 | SiC材料的優(yōu)點 |
03 | SiC器件種類 |
04 | SiC半導(dǎo)體應(yīng)用 |
05 | SiC半導(dǎo)體廠商 |
06 | SiC半導(dǎo)體測量需求 |
01
隨著第一代和第二代半導(dǎo)體材料發(fā)展的成熟，目前在大規(guī)模使用的Si功率器件已經(jīng)達到其性能瓶頸，Si功率器件的工作頻率、功率、耐熱溫度、能效、耐惡劣環(huán)境及小型化等性能的提高面臨難以逾越的瓶頸。
現(xiàn)代科技越來越多的領(lǐng)域需要高頻率、高功率、耐高溫、化學(xué)穩(wěn)定性好的第三代半導(dǎo)體，而作為第三代半導(dǎo)體優(yōu)秀代表的SiC（Silcon carbide），越來越多的受到人們的關(guān)注。
作為一種新型的半導(dǎo)體材料，SiC以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電特性成為制造短波長光電子器件、高溫器件、抗輻照器件和大功率／高額電子器件重要的半導(dǎo)體材料。特別是在條件和惡劣條件下應(yīng)用時，SiC器件的特性遠遠超過了Si器件和GaAs器件。因此，SiC器件和各類傳感器已逐步成為關(guān)鍵器件之一，發(fā)揮著越來超重要的作用。
從20世紀80年代起，特別是1989年第一種SiC襯底圓片進入市場以來，SiC器件和電路獲得了快速的發(fā)展。在某些領(lǐng)域，如發(fā)光二極管、高頻大功率和高電壓器件等，SiC器件已經(jīng)得到較廣泛的商業(yè)應(yīng)用。
02
Sic碳化硅材料一般有以下幾個優(yōu)點：
1. | 高擊場強 |
2. | 導(dǎo)熱系數(shù)高 |
3. | 高溫抗氧化能力強 |
4. | 耐磨性能好 |
5. | 化學(xué)性能穩(wěn)定 |
6. | 高飽和以及電子漂移速率 |
SiC與Si和GaAs的有關(guān)參數(shù)的對比
03
碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。
功率二極管 |
功率開關(guān)管 |
04
碳化硅半導(dǎo)體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應(yīng)用?？蓮V泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。
05
國外廠商 | 國內(nèi)廠商 |
德國英飛凌 | 株洲中車時代半導(dǎo)體 |
美國Cree公司 | 啟迪新材料（蕪湖） |
GE | 無錫華潤上華科技 |
日本羅姆公司 | ... |
06
SiC半導(dǎo)體工藝量測中，常見的膜厚測試種類： | |
Α-Si (1000-20000A) | |
SiNx (100-4000A) | |
SiO2 (30-10000A) | |
USG (1000-20000A) | |
C膜 (100-2000A) | |
BPSG (1000-20000A) | |
POLY (1000A-20000A) |
匹配產(chǎn)品型號
F50-UV
F54-UV
測量參數(shù)
測量數(shù)據(jù)
C on SiC
POLY on SiC
SiO2 on SiC
SiNx on SiC
USG on SiC
BPSG on SiC
本文作者
胡樹棟 華東區(qū)銷售經(jīng)理 薄膜測量行業(yè)從業(yè)十多年，對于薄膜量測的方案解決有著豐富的經(jīng)驗。讓微流控芯片行業(yè)中需要量測流道形貌及深度這類原本比較棘手的問題得到了解決。 | |
長風破浪會有時，直掛云帆濟滄海 | |
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